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サムスン、V-NAND採用モデルを含む新世代SSDを発表、データセンター向けSSDも刷新

2014年7月7日(月)塩田紳二

韓国サムスン電子は2014年7月1日、データセンター向け製品を含む新世代のSSD(Solid State Disk)を発表した。発表は、同社主催のプライベートイベント「2014 Samsung SSD Global Summit」の中で行われ、コンシューマー/PC向けの「Samsung SSD 850 PRO」が発表され、エンタープライズ/データセンター向けの「Samsung SSD 845 DC EVO」についても詳細情報が公開された。

 Samsung SSD 850 PROは、コンシューマー向けSSDとして初めてV-NAND(Vertical NAND )を採用した製品である。これまで、V-NANDによるフラッシュメモリは、Samsungのエンタープライズ向けSSDとしてOEM向けの提供のみであった。V-NANDとは、SSDの主要な部品となるフラッシュメモリの方式の1つで、従来の半導体デバイスと違って、縦方向にも素子を集積するため、単位面積あたりの記憶容量を向上させることが可能だ。追加された縦方向をもって3次元NANDとも呼ばれるこの仕組みにより、高速化や大容量化などの強化を施すことが可能になる。

V-NAND技術を搭載したコンシューマー/PC向けSSD「Samsung SSD 850 PRO」(出典:サムスン電子)
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 850 Proのスペックだが、順次読み出しが550MB/s、書き込みが最大520MB/sであり、ランダム読み出しでは、10万IOPS(Input/Output Per Second:1秒間に実行可能な入出力処理)、ランダム書き込みは9万IOPSという性能を持つ。また、TBW(Terabytes Written:何TBまで書き込み可能かを示す指標)は保証値で150TB、デイリーワークロード(1日あたりに想定される書き換えデータ量)は40GBで、この値での保証期間は10年となっている。

 ディスク容量は128GB/256GB/512GBに加えて、1TBのモデルも用意される。2014年7月中の出荷が予定され、日本を含む世界53地域で販売が行われる。なお、日本国内での販売開始時期は後日に発表される予定だ。

 一方、エンタープライズ/データセンター向けのSamsung SSD 845 DC EVOは、正式に発表されたのは2014年6月だが、今回のイベントで、850Proと共に詳細な説明が行われた。

耐久性能や保証データ転送量を向上/拡大されたエンタープライズ/データセンター向けSSD「Samsung SSD 845 DC EVO」(出典:サムスン電子)
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 845 DC EVOでは容量としては240GB/480GB/960GBの3タイプが用意される。採用されたフラッシュデバイスはV-NANDではなく、従来のNANDフラッシュで、1セルに充電した電圧を8段階で区別し、3ビットを記録するTLC(Triple Level Cell)となる。データセンターでの利用を想定した設計であり、コンシューマー向け製品よりも耐久性能や保証データ転送量などが向上/拡大している。

 サムスン電子によれば、データセンターなど、サーバーとして使われる外部記憶装置には、読み出しが中心になる利用(Read-Intensive)と、読み書きが均等になる利用という大きく2つのパターンがあり、例えばWebサーバーなどでは読み出しが中心になる使い方になるという。845 DC EVOは、こうしたRead-intensiveな利用を想定して作られており、順次読み出しで最大530MB/s、ランダム読み出しで8万7,000IOPSを実現している。また、耐久性を示すTBWは、保証値として600TBWとなっている。

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